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CSD19534Q5AT
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CSD19534Q5AT 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:TI（德州仪器）
分类:MOS管
封装:VSON-8
描述:TEXAS INSTRUMENTS  CSD19534Q5AT  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 100 V, 0.0126 ohm, 10 V, 2.8 V
PDF文件:CSD19534Q5AT 数据手册 (14 页)封装尺寸在9 页12 页
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焊盘图
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CSD19534Q5AT 数据手册 (14 页)
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CSD19534Q5AT 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装VSON-8
针脚数8 Position
漏源极电阻0.0126 Ω
极性N-Channel
功耗63 W
阈值电压2.8 V
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)50A
上升时间14 ns
输入电容值(Ciss)1680pF @50V(Vds)
下降时间6 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3.2W (Ta), 63W (Tc)
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CSD19534Q5AT 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
长度6 mm
宽度4.9 mm
高度1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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CSD19534Q5AT 数据手册

CSD19534Q5AT 数据手册
TI（德州仪器）
14 页 / 0.35 MByte
CSD19534Q5AT 其他数据使用手册
TI（德州仪器）
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CSD19534Q5 数据手册

CSD19534Q5A 数据手册
TI（德州仪器）
100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19534Q5A
CSD19534Q5AT 数据手册
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS  CSD19534Q5AT  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 100 V, 0.0126 ohm, 10 V, 2.8 V
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