| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-263-3 |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 375 W |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 200A |
| 上升时间 | 8 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 12000pF @50V(Vds) |
| 下降时间 | 6 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 375W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
这款 100V、2.0mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低损耗。
● 超低 Qg 和 Qgd
● 低热阻
● 雪崩级
● 无铅引脚镀层
● 符合 RoHS 环保标准
● 无卤素
● D2PAK 塑料封装
●## 应用
● 次级侧同步整流器
● 热插拔
● 电机控制
●All trademarks are the property of their respective owners.
TI（德州仪器）
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100V、N 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET，CSD19536KCS
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CSD19536KTT 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
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N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments### MOSFET 晶体管，Texas Instruments
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