| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | VSON-Clip-8 |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 2.8 W |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 50A |
| 上升时间 | 3 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1680pF @50V(Vds) |
| 下降时间 | 3 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.8W (Ta), 83W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 3.3 mm |
| 宽度 | 3.3 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
这款 100V、12.1mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
● 超低 Qg 和 Qgd
● 低热阻
● 雪崩级
● 无铅引脚镀层
● 符合 RoHS 环保标准
● 无卤素
● 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
●## 应用
● 一次侧隔离式转换器
● 电机控制
●All trademarks are the property of their respective owners.
TI（德州仪器）
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CSD19537Q3，100V N 沟道 NexFET(TM) 功率 MOSFET
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TEXAS INSTRUMENTS CSD19537Q3T 晶体管, MOSFET, NexFET™, N沟道, 50 A, 100 V, 0.0121 ohm, 10 V, 3 V
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