| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 封装 | WSON-6 |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 2.5 W |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 上升时间 | 3 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 454pF @50V(Vds) |
| 下降时间 | 2 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
这款 100V、49mΩ、采用 2mm × 2mm SON 封装的 NexFET功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。
● 超低 Qg 和 Qgd
● 低热阻
● 雪崩额定值
● 无铅
● 符合 RoHS 标准
● 无卤素
● 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 塑料封装
●## 应用范围
● 以太网供电 (PoE)
● 电源设备 (PSE)
● 电机控制
●All trademarks are the property of their respective owners.
TI（德州仪器）
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TI（德州仪器）
100V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON3x3、61mΩ 8-VSONP -55 to 150
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100V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON2x2、59mΩ 6-WSON -55 to 150
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TEXAS INSTRUMENTS CSD19538Q3AT 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 100 V, 0.049 ohm, 10 V, 3.2 V 新
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功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 13.1 A, 0.049 ohm, WSON, 表面安装
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