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CSD19538Q3AT
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CSD19538Q3AT 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:TI（德州仪器）
分类:MOS管
封装:VSONP-8
描述:TEXAS INSTRUMENTS  CSD19538Q3AT  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 100 V, 0.049 ohm, 10 V, 3.2 V 新
PDF文件:CSD19538Q3AT 数据手册 (13 页)封装尺寸在8 页11 页
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焊盘图
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CSD19538Q3AT 数据手册 (13 页)
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CSD19538Q3AT 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装VSONP-8
针脚数8 Position
漏源极电阻0.049 Ω
极性N-Channel
功耗23 W
阈值电压3.2 V
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)4.9A
上升时间3 ns
输入电容值(Ciss)454pF @50V(Vds)
下降时间2 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2.8W (Ta), 23W (Tc)
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CSD19538Q3AT 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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CSD19538Q3AT 数据手册

CSD19538Q3AT 数据手册
TI（德州仪器）
13 页 / 0.33 MByte
CSD19538Q3AT 其他数据使用手册
TI（德州仪器）
13 页 / 0.34 MByte
CSD19538Q3AT 开发手册
TI（德州仪器）
18 页 / 1.33 MByte

CSD19538Q3 数据手册

CSD19538Q3A 数据手册
TI（德州仪器）
100V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON3x3、61mΩ 8-VSONP -55 to 150
CSD19538Q3AT 数据手册
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS  CSD19538Q3AT  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 100 V, 0.049 ohm, 10 V, 3.2 V 新
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