| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 9 Pin |
| 封装 | DSBGA-9 |
| 极性 | P-CH |
| 功耗 | 1.5 W |
| 漏源极电压(Vds) | 8 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 10A |
| 上升时间 | 8.4 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1390pF @4V(Vds) |
| 下降时间 | 38 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1.5W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 1.5 mm |
| 宽度 | 1.5 mm |
| 高度 | 0.62 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
此器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内产生尽可能低的导通电阻和栅极电荷。 低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起，使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。
● 低电阻
● 小尺寸封装 1.5mm x 1.5mm
● 无铅
● 栅极静电放电 (ESD) 保护
● 符合 RoHS 环保标准
● 无卤素
● 栅 - 源电压钳位
●## 应用范围
● 电池管理
● 电池保护
● 负载开关应用
●All trademarks are the property of their respective owners.
TI（德州仪器）
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TI（德州仪器）
P 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD22202W15
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