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CSD23201W10
来自 AiPCBA

CSD23201W10 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:TI（德州仪器）
分类:MOS管
封装:UFBGA-4
描述:P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
PDF文件:CSD23201W10 数据手册 (8 页)引脚图在6 页Hot
封装尺寸在6 页
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焊盘图
引脚图
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CSD23201W10 数据手册 (8 页)
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CSD23201W10 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数4 Pin
封装UFBGA-4
针脚数4 Position
漏源极电阻0.066 Ω
极性P-Channel
功耗1 W
阈值电压600 mV
漏源极电压(Vds)12 V
连续漏极电流(Ids)1.10 A
上升时间19 ns
输入电容值(Ciss)325pF @6V(Vds)
额定功率(Max)1 W
下降时间29 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1W (Ta)
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CSD23201W10 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Cut Tape (CT)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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CSD23201W10 数据手册

CSD23201W10 数据手册
TI（德州仪器）
8 页 / 0.13 MByte
CSD23201W10 其他数据使用手册
TI（德州仪器）
35 页 / 0.46 MByte
CSD23201W10 开发手册
TI（德州仪器）
7 页 / 0.58 MByte

CSD23201 数据手册

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P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
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