类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | PICOSTAR-3 |
极性 | P-CH |
功耗 | 0.5 W |
漏源极电压(Vds) | 12 V |
连续漏极电流(Ids) | 1.8A |
上升时间 | 4 ns |
输入电容值(Ciss) | 180pF @6V(Vds) |
下降时间 | 8 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 500 mW |
类型 | 描述 |
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包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
这款 –12V、97mΩ、P 沟道 FemtoFETMOSFET 经过了设计和优化,能够最大限度减小许多手持式和移动类应用的 尺寸。这项技术能够在替代标准小信号金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的同时大幅减小封装尺寸。
● 低导通电阻
● 超低 Qg 和 Qgd
● 高运行漏极电流
● 超小尺寸
● 0.73mm x 0.64mm
● 超薄
● 最大高度为 0.35mm
● 集成静电放电 (ESD) 保护二极管
● 额定值 > 4kV 人体放电模式 (HBM)
● 额定值 > 2kV 组件充电模式 (CDM)
● 无铅且无卤素
● 符合 RoHS 环保标准
●## 应用范围
● 针对负载开关应用进行了 优化
● 针对通用开关应用进行了 优化
● 电池 应用
● 手持式和移动类 应用
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CSD23280F3 12V P 沟道 FemtoFET™ MOSFET
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TEXAS INSTRUMENTS CSD23280F3T 晶体管, MOSFET, P沟道, -1.8 A, -12 V, 0.097 ohm, -4.5 V, -650 mV 新
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