| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | PICOSTAR-3 |
| 极性 | P-CH |
| 功耗 | 0.5 W |
| 漏源极电压(Vds) | 12 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.5A |
| 上升时间 | 25 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 235pF @6V(Vds) |
| 下降时间 | 41 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 500mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
此 66mΩ，12V P 通道 FemtoFET MOSFET 被设计且被优化，以最大限度地减少多种手持式和移动类应用中的封装尺寸。 这个技术能够在将封装尺寸至少减少 60% 的同时，替代标准的小信号 MOSFET。
● 低导通电阻
● 超低 Qg 和 Qgd
● 超小型封装尺寸（0402 外壳尺寸）
● 1.0mm × 0.6mm
● 低高度
● 最大高度 0.35mm
● 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管
● 额定值 > 2kV 人体模型 (HBM)
● 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)
● 无铅端子镀层
● 无卤素
● 符合 RoHS 环保标准
●## 应用范围
● 针对负载开关应用进行了优化
● 针对通用开关应用进行了优化
● 电池类应用
● 手持式和移动类应用
TI（德州仪器）
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TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS CSD23382F4T 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -12 V, 0.066 ohm, -4.5 V, -800 mV
TI（德州仪器）
-12V、P 沟道 NexFET MOSFET™、单路、LGA 0.6x1.0、76mΩ 3-PICOSTAR 0 to 0
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