| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | PICOSTAR-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.066 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 500 mW |
| 阈值电压 | 800 mV |
| 漏源极电压(Vds) | 12 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.5A |
| 上升时间 | 25 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 235pF @6V(Vds) |
| 下降时间 | 41 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 500mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
TI（德州仪器）
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TI（德州仪器）
-12V、P 沟道 NexFET MOSFET™、单路、LGA 0.6x1.0、76mΩ 3-PICOSTAR 0 to 0
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS CSD23382F4T 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -12 V, 0.066 ohm, -4.5 V, -800 mV
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