Datasheet 搜索 > MOS管 > TI（德州仪器） > CSD25201W15 Datasheet 文档
CSD25201W15
来自 AiPCBA

CSD25201W15 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:TI（德州仪器）
分类:MOS管
封装:DSBGA-9
描述:P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
PDF文件:CSD25201W15 数据手册 (9 页)封装尺寸在6 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
CSD25201W15 数据手册 (9 页)
查看文档
或点击图片查看大图

CSD25201W15 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数9 Pin
封装DSBGA-9
通道数1 Channel
漏源极电阻0.033 Ω
极性P-Channel
功耗1.5 W
漏源极电压(Vds)20 V
漏源击穿电压20 V
连续漏极电流(Ids)4A
上升时间11 ns
输入电容值(Ciss)510pF @10V(Vds)
额定功率(Max)1.5 W
下降时间38 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)1.5W (Ta)
查看数据手册 >

CSD25201W15 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
长度1.5 mm
宽度1.5 mm
高度0.62 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >

CSD25201W15 数据手册

CSD25201W15 数据手册
TI（德州仪器）
9 页 / 0.31 MByte
CSD25201W15 其他数据使用手册
TI（德州仪器）
2 页 / 0.09 MByte
CSD25201W15 产品修订记录
TI（德州仪器）
4 页 / 0.11 MByte

CSD25201 数据手册

CSD25201W15 数据手册
TI（德州仪器）
P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet