| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | DSBGA-4 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 67 mΩ |
| 极性 | P-CH |
| 功耗 | 1 W |
| 阈值电压 | 850 mV |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.6A |
| 上升时间 | 520 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 478pF @10V(Vds) |
| 下降时间 | 970 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 1 mm |
| 宽度 | 1 mm |
| 高度 | 0.62 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
此器件设计用于在超低高度并具有出色散热特性的尽可能小外形尺寸封装内产生最低的导通电阻和栅极电荷。
●顶视图 在 1 in22 盎司纯铜 (Cu) (2 oz.) 且厚度为 0.060" 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上，RθJA=75°C/W。脉宽 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%受栅极电阻限制。
● 超低栅极电荷 (Qg) 和栅漏电荷 (Qgd)
● 小尺寸封装 1mm x 1mm
● 低高度（高度为 0.62mm）
● 无铅
● 栅 - 源电压钳位
● 栅极静电放电 (ESD) 保护
● 符合 RoHS 环保标准
● 无卤素
TI（德州仪器）
P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，CSD25213W10
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
