| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 封装 | DSBGA-6 |
| 极性 | P-CH |
| 功耗 | 0.75 W |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3A |
| 上升时间 | 4 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 595pF @10V(Vds) |
| 下降时间 | 10 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 750mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
这款 27mΩ，20V P 通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.0mm × 1.5mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。
●顶视图 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 器件在 105ºC 温度下运行RθJA 典型值 = 165°C/W，脉宽 ≤100μs，占空比 ≤1%
● 超低 Qg 和 Qgd
● 小封装尺寸
● 低高度（高度为 0.62mm）
● 无铅
● 符合 RoHS 环保标准
● 无卤素
● 芯片级封装 (CSP) 1 x 1.5mm 晶圆级封装
●## 应用范围
● 电池管理
● 负载开关
● 电池保护
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS CSD25304W1015T 晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -20 V, 0.027 ohm, -4.5 V, -800 mV
TI（德州仪器）
CSD25304W1015 20V P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
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