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CSD25310Q2T 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
封装:
SON
描述:
-20V、P 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON 2x2、23.9mΩ 6-WSON -55 to 150
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
CSD25310Q2T 数据手册
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CSD25310Q2T 技术参数、封装参数
类型
描述
引脚数
6 Pin
封装
SON
功耗
2.9 W
上升时间
15 ns
输入电容值(Ciss)
504pF @10V(Vds)
下降时间
5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2900 mW
CSD25310Q2T 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
CSD25310Q2T 符合标准
CSD25310Q2T 概述
表面贴装型 P 通道 20 V 20A(Ta) 2.9W(Ta) 6-WSON(2x2)
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20V P 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD25310Q2
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