| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | VSON-8 |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0077 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 69 W |
| 阈值电压 | 900 mV |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 35A |
| 上升时间 | 7 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1790pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2.8 W |
| 下降时间 | 12 ns |
| 工作温度(Max) | 125 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.8W (Ta), 69W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
这款 -20V，7.7mΩ NexFET 功率 MOSFET 被设计成最大限度地减少 SON 3 × 3 封装内的功率转换负载管理应用中的损耗，此封装类型针对器件的尺寸提供出色的热性能。
●顶视图 RθJA = 55°C/W，这是在厚度为 0.060" 的环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2 铜过渡垫片（2 盎司）上测得的典型值。脉宽 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%
● 超低 Qg 和 Qgd
● 低热阻
● 低 RDS(on)
● 无铅且无卤素
● 符合 RoHS 环保标准
● 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
●## 应用范围
● 直流-直流转换器
● 电池管理
● 负载开关
● 电池保护
TI（德州仪器）
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TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS CSD25402Q3A 晶体管, MOSFET, P沟道, -35 A, -20 V, 0.0077 ohm, -4.5 V, 900 mV
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