| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 封装 | UFBGA-6 |
| 通道数 | 2 Channel |
| 针脚数 | 6 Position |
| 漏源极电阻 | 0.056 Ω |
| 极性 | Dual P-Channel |
| 功耗 | 750 mW |
| 阈值电压 | 0.5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.6A |
| 上升时间 | 5 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 410pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 750 mW |
| 下降时间 | 11 ns |
| 工作温度(Max) | 85 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 750 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 1.5 mm |
| 宽度 | 1 mm |
| 高度 | 0.625 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
此器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。 低导通电阻与小型封装尺寸和超薄特性结合在一起，使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。
● 双路 P 通道 MOSFET
● 共源配置
● 1.5mm x 1mm 小尺寸封装
● 栅极 - 源电压钳位
● 栅极静电放电 (ESD) 保护 - 3kV
● 无铅
● 符合 RoHS 环保标准
● 无卤素
●## 应用范围
● 电池管理
● 负载开关
● 电池保护
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TI（德州仪器）
CSD75208W1015，双路共源 20V P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS CSD75208W1015T 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -1.6 A, -20 V, 0.056 ohm, -4.5 V, -800 mV
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