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CSD75301W1015
来自 AiPCBA

CSD75301W1015 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:TI（德州仪器）
分类:MOS管
封装:UFBGA-6
描述:TEXAS INSTRUMENTS  CSD75301W1015  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -1.2 A, -20 V, 80 mohm, -4.5 V, -700 mV
PDF文件:CSD75301W1015 数据手册 (9 页)封装尺寸在6 页
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CSD75301W1015 数据手册 (9 页)
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CSD75301W1015 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装UFBGA-6
针脚数6 Position
漏源极电阻80 mΩ
极性Dual P-Channel
功耗800 mW
漏源极电压(Vds)20 V
连续漏极电流(Ids)1.2A
上升时间1.7 ns
输入电容值(Ciss)195pF @10V(Vds)
额定功率(Max)800 mW
下降时间16 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)800 mW
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CSD75301W1015 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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CSD75301W1015 数据手册

CSD75301W1015 数据手册
TI（德州仪器）
9 页 / 0.14 MByte
CSD75301W1015 其他数据使用手册
TI（德州仪器）
2 页 / 0.09 MByte
CSD75301W1015 产品修订记录
TI（德州仪器）
4 页 / 0.11 MByte

CSD75301 数据手册

CSD75301W1015 数据手册
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS  CSD75301W1015  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -1.2 A, -20 V, 80 mohm, -4.5 V, -700 mV
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