| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 封装 | XFBGA-6 |
| 通道数 | 2 Channel |
| 漏源极电阻 | 5.9 mΩ |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 2.3 W |
| 阈值电压 | 750 mV |
| 漏源极电压(Vds) | 12 V |
| 漏源击穿电压 | ±12 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 8A |
| 上升时间 | 353 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 902pF @6V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2.3 W |
| 下降时间 | 589 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2300 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.2 mm |
| 宽度 | 1.15 mm |
| 高度 | 0.2 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
这款 12V、9.9mΩ、采用 2.2mm × 1.15mm 接合栅格阵列 (LGA) 封装的双路 NexFET功率 MOSFET 旨在以小外形封装最大程度地降低电阻和栅极电荷。该器件的外形尺寸较小并采用共漏极配置，非常适合小型手持设备中 由电池供电的 应用。
● 共漏极配置
● 低导通电阻
● 2.2mm × 1.15mm 小外形封装
● 无铅
● 符合 RoHS 环保标准
● 无卤素
● 栅极静电放电 (ESD) 保护
●## 应用范围
● 电池管理
● 电池保护
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TI（德州仪器）
14 页 / 1.15 MByte
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23 页 / 0.96 MByte
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CSD83325L，双路 N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
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TEXAS INSTRUMENTS CSD83325LT 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 12 V, 0.0099 ohm, 4.5 V, 950 mV
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