| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 封装 | XFBGA-6 |
| 针脚数 | 6 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0099 Ω |
| 极性 | Dual N-Channel |
| 功耗 | 2.3 W |
| 阈值电压 | 950 mV |
| 漏源极电压(Vds) | 12 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 8A |
| 上升时间 | 353 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 902 pF |
| 额定功率(Max) | 2.3 W |
| 下降时间 | 589 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.3 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 1.15 mm |
| 宽度 | 2.2 mm |
| 高度 | 0.2 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道 NexFET™ 双 MOSFET，Texas Instruments
TI（德州仪器）
14 页 / 1.15 MByte
TI（德州仪器）
65 页 / 1.66 MByte
TI（德州仪器）
CSD83325L，双路 N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS CSD83325LT 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 12 V, 0.0099 ohm, 4.5 V, 950 mV
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