| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 封装 | WSON-FET-6 |
| 通道数 | 2 Channel |
| 漏源极电阻 | 27 mΩ |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 2.3 W |
| 阈值电压 | 600 mV, 600 mV |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | ±20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5A |
| 上升时间 | 26 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 469pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2.3 W |
| 下降时间 | 15 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2300 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2 mm |
| 宽度 | 2 mm |
| 高度 | 0.75 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
CSD85301Q2 是一款 20V、23mΩ N 通道器件，它具有两个独立的 MOSFET，并且采用 SON 2mm x 2mm 塑料封装。 这两个场效应管 (FET) 采用半桥配置，适用于同步降压等电源应用。 此外，该部件还可用于适配器、USB 输入保护和电池充电应用。 两个 FET 的漏源导通电阻均较低，可最大程度降低损耗并减少元件数，非常适合空间受限型应用。
● 低导通电阻
● 两个独立的 MOSFET
● 节省空间的小外形尺寸无引线 (SON) 2mm × 2mm 塑料封装
● 针对 5V 栅极驱动器而优化
● 雪崩级
● 无铅且无卤素
● 符合 RoHS 环保标准
●## 应用范围
● 用于网络互联，电信和计算系统的负载点同步降压转换器
● 针对笔记本个人电脑 (PC) 和平板电脑的适配器或 USB 输入保护
● 电池保护
●All trademarks are the property of their respective owners.
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TEXAS INSTRUMENTS CSD85301Q2T 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 900 mV
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CSD85301Q2，双路 N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
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