| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | PowerVDFN-8 |
| 漏源极电阻 | 0.0103 Ω |
| 极性 | Dual N-Channel |
| 功耗 | 2.5 W |
| 阈值电压 | 1.1 V |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 39A |
| 上升时间 | 27 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2390pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2.5 W |
| 下降时间 | 6 ns |
| 工作温度(Max) | 85 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2500 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
CSD85312Q3E 是一款设计用于适配器或 USB 输入保护的 20V 共源、双路 N 通道器件。 此类 SON 3.3mm x 3.3mm 器件有低漏极到漏极导通电阻，这大大减少了损耗并且为空间受限的多节电池充电类应用提供低组件数量。
● 共源连接
● 超低漏极到漏极导通电阻
● 节省空间的小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm x 3.3mm 塑料封装
● 针对 5V 栅极驱动进行了优化
● 低热阻
● 雪崩额定值
● 无铅端子电镀
● 符合 RoHS 环保标准
● 无卤素
●## 应用范围
● 针对笔记本个人电脑 (PC) 和平板电脑的适配器或 USB 输入保护
TI（德州仪器）
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TI（德州仪器）
双路 20V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，CSD85312Q3E
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