| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | LSON-CLIP-8 |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 3.7 Ω |
| 极性 | Dual N-Channel |
| 功耗 | 13 W |
| 阈值电压 | 1 V |
| 漏源极电压(Vds) | 25 V |
| 额定功率(Max) | 13 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 13000 mW |
| 电源电压(Max) | 22 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6 mm |
| 宽度 | 5 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
CSD86360Q5D NexFET 电源块是满足同步降压应用的优化设计，能够在 5mm × 6mm 的小外形尺寸封装内提供高电流，高效率和高频率性能。 该产品针对 5V 栅极驱动应用进行了优化，可提供高度灵活的解决方案，在与外部控制器/驱动器的任何 5V 栅极驱动配合使用时，均可提供高密度电源。
● 半桥电源块
● 电流 25A 时，系统效率达到 91%
● 高达 50A 的工作电流
● 高频率工作（高达 1.5MHz）
● 高密度 — 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm × 6mm 封装
● 针对 5V 栅极驱动而优化
● 低开关损耗
● 超低电感封装
● 符合 RoHS 标准
● 无卤素
● 无铅端子电镀
TI（德州仪器）
23 页 / 1.14 MByte
TI（德州仪器）
23 页 / 1.14 MByte
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
