| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | VSON-8 |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0119 Ω |
| 极性 | Dual N-Channel |
| 功耗 | 6 W |
| 阈值电压 | 950 mV |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 上升时间 | 3.9 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 662pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 6 W |
| 下降时间 | 2.2 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3.3 mm |
| 宽度 | 3.3 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | 125℃ (TJ) |
CSD87333Q3D NexFET 电源块是面向同步降压和升压应用的优化设计方案，能够以 3.3mm x 3.3mm 的小外形尺寸提供高电流、高效率以及高频率性能。 已针对 5V 栅极驱动应用进行优化，这款产品在与外部控制器或驱动器配对使用时可在高占空比应用中提供灵活的解决方案。
● 半桥电源块
● 已针对高占空比进行优化
● 高达 24 Vin
● 电流 8A 时，系统效率达到 94.7%
● 电流 8A 时，PLoss 1.5W
● 工作电流高达 15A
● 高频运行（高达 1.5MHz）
● 高密度 — 3.3mm x 3.3mm 小外形尺寸无引线 (SON) 封装
● 针对 5V 栅极驱动进行了优化
● 低开关损耗
● 超低电感封装
● 符合 RoHS 环保标准
● 无卤素
● 无铅端子镀层
●## 应用范围
● 同步降压转换器
● 高频应用
● 高占空比应用
● 同步升压转换器
● 负载点 (POL) 直流 - 直流转换器
TI（德州仪器）
24 页 / 1.02 MByte
TI（德州仪器）
30 页 / 3.11 MByte
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22 页 / 1.05 MByte
TI（德州仪器）
30V、N 沟道同步降压 NexFET MOSFET™、SON3x3 电源块、15A 8-VSON-CLIP -55 to 150
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