| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | LSON-CLIP |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0039 Ω |
| 极性 | Dual N-Channel |
| 功耗 | 12 W |
| 阈值电压 | 1.9 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 输入电容值(Ciss) | 1860pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 12 W |
| 工作温度(Max) | 125 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 12000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
CSD87355Q5D NexFET电源块是面向同步降压 应用 的优化设计方案，能够以 5mm × 6mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化，可提供一套灵活的解决方案，在与来自外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动配套使用时，均可提供高密度电源。
● 半桥电源块
● 25A 电流时系统效率达 92.5%
● 工作电流高达 45A
● 高频工作（高达 1.5MHz）
● 高密度 SON 5mm × 6mm 封装
● 针对 5V 栅极驱动进行了优化
● 低开关损耗
● 超低电感封装
● 符合 RoHS 标准
● 无卤素
● 无铅引脚镀层
●## 应用范围
● 同步降压转换器
● 高频 应用
● 高电流、低占空比 应用
● 多相位同步降压转换器
● 负载点直流 - 直流转换器
● IMVP、VRM 和 VRD 应用
●All trademarks are the property of their respective owners.
TI（德州仪器）
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TI（德州仪器）
CSD87355Q5D 同步降压 NexFET™ 电源块
TI（德州仪器）
30V、N 沟道同步降压 NexFET MOSFET™、SON5x6 电源块、45A 8-LSON-CLIP -55 to 150
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