| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 5 Pin |
| 封装 | PTAB-5 |
| 功耗 | 4 W |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 输入电容值(Ciss) | 564pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 4 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 4000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
此 CSD87381P NexFET 电源块 II 是针对同步降压应用的高度优化设计，能够在 3mm × 2.5mm 的小外形尺寸封装内提供大电流和高效率。 针对 5V 栅极驱动应用进行了优化，这款产品可提供高效且灵活的解决方案，在与外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动器配套使用时，可提供一个高密度电源。
● 半桥电源块
● 10A 电流下的系统效率达 90%
● 工作电流高达 15A
● 高密度 - 3mm × 2.5mm 接合栅格阵列封装 (LGA) 尺寸
● 双侧冷却能力
● 超薄 - 最大厚度为 0.48mm
● 针对 5V 栅极驱动进行了优化
● 低开关损耗
● 低电感封装
● 符合 RoHS 环保标准
● 无卤素
● 无铅
●## 应用范围
● 同步降压转换器
● 高电流、低占空比应用
● 多相位同步降压转换器
● 负载点 (POL) 直流 - 直流转换器
●All trademarks are the property of their respective owners.
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TI（德州仪器）
Power MOSFET Modules, Texas Instruments半桥 NexFET 电源块 ### MOSFET 晶体管，Texas Instruments
TI（德州仪器）
同步降压 NexFETTM 电源块，CSD87381P
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