| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 5 Pin |
| 封装 | PTAB-5 |
| 功耗 | 3.7 W |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 输入电容值(Ciss) | 1150pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 8 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3700 mW |
| 电源电压(Max) | 8 V |
| 电源电压(Min) | 4.5 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
此 CSD87384M NexFET 电源块 II 是针对同步降压应用的高度优化设计，能够在 5.0mm × 3.5mm 的小外形尺寸封装内提供大电流和高效率。 针对 5V 栅极驱动应用进行了优化，此款产品可提供高效且灵活的解决方案，此解决方案在与外部控制器或驱动器的任一 5V 栅极驱动成对使用时，均可提供一个高密度电源。
● 半桥电源块
● 电流 25A 时，系统效率达到 90.5%
● 高达 30A 的工作电流
● 高密度 - 5mm × 3.5mm 接合栅格阵列 (LGA) 封装
● 双侧冷却能力
● 超薄 - 最大厚度为 0.48mm
● 针对 5V 栅极驱动进行了优化
● 低开关损耗
● 超低电感封装
● 符合 RoHS 环保标准
● 无卤素
● 无铅
●## 应用范围
● 同步降压转换器
● 高频应用
● 高电流、低占空比应用
● 多相位同步降压转换器
● 负载点 (POL) 直流 - 直流转换器
●All trademarks are the property of their respective owners.
TI（德州仪器）
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TI（德州仪器）
30V、N 沟道同步降压 NexFET MOSFET™、5x3.5 LGA、30A 5-PTAB -55 to 150
TI（德州仪器）
同步降压 NexFET 电源块，CSD87384M
TI（德州仪器）
电源管理IC开发工具 CSD87384M EVAL MOD
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