| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 10 Pin |
| 封装 | XFBGA-10 |
| 通道数 | 2 Channel |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 2.5 W |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 14A |
| 上升时间 | 260 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1620pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2.5 W |
| 下降时间 | 712 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2500 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3.42 mm |
| 宽度 | 1.52 mm |
| 高度 | 0.2 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
这款 30V、6.6mΩ、3.37mm × 1.47mm LGA 双路 NexFET 功率 MOSFET 旨在以小外形封装最大程度地降低电阻和栅极电荷。 该器件尺寸小并采用共漏极配置，非常适合多节电池组应用和小型手持设备。
● 低导通电阻
● 3.37 × 1.47mm 小外形封装
● 超薄 - 厚度为 0.2mm
● 无铅
● 符合 RoHS 环保标准
● 无卤素
● 栅极静电放电 (ESD) 保护
●## 应用范围
● 电池管理
● 电池保护
● USB C 型/PD
●All trademarks are the property of their respective owners.
TI（德州仪器）
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CSD87501L 30V 双路 N 通道共漏极 NexFET™ 功率 MOSFET
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TEXAS INSTRUMENTS CSD87501LT 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 14 A, 30 V, 0.0066 ohm, 10 V, 1.8 V
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