| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 5 Pin |
| 封装 | LGA-5 |
| 输出接口数 | 1 Output |
| 漏源极电阻 | 0.008 Ω |
| 极性 | Dual N-Channel |
| 功耗 | 6 W |
| 阈值电压 | 1.9 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 输入电压(Max) | 24 V |
| 输出电压(Max) | 1.3 V |
| 输出电流(Max) | 25 A |
| 输入电容值(Ciss) | 736pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 6 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 6000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5.1 mm |
| 宽度 | 2.6 mm |
| 高度 | 0.48 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Power MOSFET Modules, Texas Instruments
●半桥 NexFET 电源块
TI（德州仪器）
23 页 / 1.05 MByte
TI（德州仪器）
Power MOSFET Modules, Texas Instruments半桥 NexFET 电源块 ### MOSFET 晶体管，Texas Instruments
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
