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CSD88599Q5DCT
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CSD88599Q5DCT 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:TI（德州仪器）
封装:22-VSON-CLIP
描述:双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 60 V, 0.0017 ohm, 10 V, 2 V
PDF文件:CSD88599Q5DCT 数据手册 (27 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

CSD88599Q5DCT 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数27 Pin
封装22-VSON-CLIP
针脚数22 Position
漏源极电阻0.0017 Ω
功耗12 W
阈值电压2 V
漏源极电压(Vds)60 V
上升时间20 ns
输入电容值(Ciss)4840pF @30V(Vds)
额定功率(Max)12 W
下降时间3 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)12000 mW
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CSD88599Q5DCT 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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CSD88599Q5DCT 数据手册

CSD88599Q5DCT 数据手册
TI（德州仪器）
27 页 / 1.75 MByte
CSD88599Q5DCT 其他数据使用手册
TI（德州仪器）
24 页 / 0.64 MByte

CSD88599Q5 数据手册

CSD88599Q5DC 数据手册
TI（德州仪器）
采用 SON 5mm x 6mm DualCool 封装的 40A、60V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率块 MOSFET 22-VSON-CLIP -55 to 150
CSD88599Q5DCT 数据手册
TI（德州仪器）
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 60 V, 0.0017 ohm, 10 V, 2 V
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