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DE475-102N21A
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DE475-102N21A 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:DE-475
描述:IXYS RF  DE475-102N21A  晶体管, 射频FET, 1 kV, 24 A, 1.8 kW, 30 MHz, DE-475
PDF文件:DE475-102N21A 数据手册 (6 页)封装尺寸在4 页
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DE475-102N21A 数据手册 (6 页)
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DE475-102N21A 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
频率30 MHz
引脚数6 Pin
封装DE-475
额定功率1.8 kW
针脚数6 Position
极性N-Channel
功耗1.8 kW
漏源极电压(Vds)1 kV
连续漏极电流(Ids)24.0 A
上升时间5.00 ns
输入电容值(Ciss)5500pF @800V(Vds)
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1800000 mW
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DE475-102N21A 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
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DE475-102N21A 数据手册

DE475-102N21A 数据手册
IXYS Semiconductor
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DE475102N21 数据手册

DE475-102N21A 数据手册
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IXYS RF  DE475-102N21A  晶体管, 射频FET, 1 kV, 24 A, 1.8 kW, 30 MHz, DE-475
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