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DF200R12W1H3B27BOMA1
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DF200R12W1H3B27BOMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
封装:AG-EASY1B-2
PDF文件:DF200R12W1H3B27BOMA1 数据手册 (1 页)
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DF200R12W1H3B27BOMA1 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数11 Pin
封装AG-EASY1B-2
击穿电压(集电极-发射极)1200 V
输入电容值(Cies)2nF @25V
额定功率(Max)375 W
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)375000 mW
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DF200R12W1H3B27BOMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tray
工作温度-40℃ ~ 150℃
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DF200R12W1H3B27BOMA1 数据手册

DF200R12W1H3B27BOMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
1 页 / 0.03 MByte
DF200R12W1H3B27BOMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
36 页 / 3.45 MByte
DF200R12W1H3B27BOMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
1 页 / 0.03 MByte
DF200R12W1H3B27BOMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
33 页 / 2.24 MByte

DF200R12W1H3B27 数据手册

DF200R12W1H3_B27 数据手册
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