| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 额定功率 | 2.1 W |
| 极性 | N+P |
| 功耗 | 2.1 W |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 7.1A/7.4A |
| 输入电容值(Ciss) | 472pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.3 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2100 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 6.6A，6.8A 1.8W 表面贴装型 8-SO
Diodes（美台）
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Diodes（美台）
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Diodes（美台）
MOSFET-阵列-N-和-P-沟道-30V-6.6A-6.8A-1.8W-表面贴装型-8-SO
Diodes（美台）
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 5.5 A, 30 V, 0.028 ohm, 10 V, 1 V
Vishay Semiconductor（威世）
DIODES INC. DMC3028LSD 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 5.5 A, 30 V, 0.028 ohm, 10 V, 1 V
Diodes Zetex（捷特科）
N/P 通道 MOSFET，Diodes Inc.### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
Diodes Zetex（捷特科）
N/P 通道 MOSFET，Diodes Inc.### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
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