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DMG1012T
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DMG1012T 数据手册
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DMG1012T 技术参数、封装参数

DMG1012 数据手册

Diodes(美台)
DMG1012T 系列 20 V 400 mOhm N 沟道 增强模式 Mosfet - SOT-523
Diodes(美台)
N 沟道 20 V 1 A 0.45 Ω 表面贴装 增强模式 功率 MosFet - SOT-323
Diodes(美台)
晶体管, MOSFET, N沟道, 630 mA, 20 V, 0.3 ohm, 4.5 V, 1 V
Diodes(美台)
晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 1 A, 20 V, 0.3 ohm, 4.5 V, 500 mV
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC.  DMG1012UW  晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 1 A, 20 V, 0.3 ohm, 4.5 V, 500 mV
Diodes Zetex(捷特科)
N 通道 MOSFET,12V 至 28V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Vishay Semiconductor(威世)
Diodes Zetex(捷特科)
N 通道 MOSFET,12V 至 28V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Vishay Semiconductor(威世)
Diodes(美台)
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