| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-523 |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
Diodes（美台）
DMG1012T 系列 20 V 400 mOhm N 沟道 增强模式 Mosfet - SOT-523
Diodes（美台）
N 沟道 20 V 1 A 0.45 Ω 表面贴装 增强模式 功率 MosFet - SOT-323
Diodes（美台）
晶体管, MOSFET, N沟道, 630 mA, 20 V, 0.3 ohm, 4.5 V, 1 V
Diodes（美台）
晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 1 A, 20 V, 0.3 ohm, 4.5 V, 500 mV
Vishay Semiconductor（威世）
DIODES INC. DMG1012UW 晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 1 A, 20 V, 0.3 ohm, 4.5 V, 500 mV
Diodes Zetex（捷特科）
N 通道 MOSFET，12V 至 28V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
Diodes Zetex（捷特科）
N 通道 MOSFET，12V 至 28V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
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