| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SC-70-3 |
| 额定功率 | 0.29 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.3 Ω |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 0.29 W |
| 阈值电压 | 1 V |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1A |
| 上升时间 | 7.4 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 60.67pF @16V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 290 mW |
| 下降时间 | 12.3 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 290 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 20 V 1A（Ta） 290mW（Ta） SOT-323
Diodes（美台）
6 页 / 0.16 MByte
Diodes（美台）
293 页 / 0.91 MByte
Diodes（美台）
14 页 / 0.61 MByte
Diodes（美台）
7 页 / 0.18 MByte
Diodes（美台）
DMG1012T 系列 20 V 400 mOhm N 沟道 增强模式 Mosfet - SOT-523
Diodes（美台）
N 沟道 20 V 1 A 0.45 Ω 表面贴装 增强模式 功率 MosFet - SOT-323
Diodes（美台）
晶体管, MOSFET, N沟道, 630 mA, 20 V, 0.3 ohm, 4.5 V, 1 V
Diodes（美台）
晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 1 A, 20 V, 0.3 ohm, 4.5 V, 500 mV
Vishay Semiconductor（威世）
DIODES INC. DMG1012UW 晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 1 A, 20 V, 0.3 ohm, 4.5 V, 500 mV
Diodes Zetex（捷特科）
N 通道 MOSFET，12V 至 28V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
Diodes Zetex（捷特科）
N 通道 MOSFET，12V 至 28V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
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