| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-523-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.5 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 270 mW |
| 阈值电压 | 1 V |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 0.46A |
| 上升时间 | 8.1 nS |
| 输入电容值(Ciss) | 59.76pF @16V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 270 mW |
| 下降时间 | 20.7 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 270mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 6V 最大漏极电流IdDrain Current| -0.46A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.5Ω @-350mA,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.5--1.0V 耗散功率PdPower Dissipation| 270mW/0.27W Description & Applications| • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage 描述与应用| •低导通电阻 •低栅极阈值电压 •低输入电容 •开关速度快 •低输入/输出漏
Diodes（美台）
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Diodes（美台）
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Diodes（美台）
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Diodes（美台）
•低导通电阻•低栅极阈值电压•低输入电容•开关速度快•低输入/输出漏
Diodes（美台）
晶体管, MOSFET, P沟道, -820 mA, -20 V, 0.5 ohm, -4.5 V, -1 V
Diodes Zetex（捷特科）
P 通道 MOSFET，12V 至 25V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
Diodes Zetex（捷特科）
P 通道 MOSFET，12V 至 25V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
Diodes（美台）
场效应管(MOSFET) DMG1013UWQ-13 SOT-323
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