| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 31 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 900 mW |
| 阈值电压 | 550 mV |
| 输入电容 | 294 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4A |
| 上升时间 | 117 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 294pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 900 mW |
| 下降时间 | 393 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 900mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
DMG3415U-7 是一款P沟道增强型MOSFET, 模压塑料外壳, 可焊接, 镀雾锡退火铜引线端子, 符合MIL-STD-202标准。该器件设计最大限度地降低导通电阻RDS (ON), 同时具有卓越的开关性能, 适用于高效电源管理应用。
● 低导通电阻
● 低输入电容
● 快速开关速度
● 低输入/输出泄漏
● 无卤素, 绿色设备
● J-STD-020标准, 湿度灵敏度等级为1
● UL94V-0 阻燃等级
Diodes（美台）
10 页 / 0.2 MByte
Diodes（美台）
199 页 / 0.86 MByte
Diodes（美台）
7 页 / 0.51 MByte
Diodes（美台）
7 页 / 0.18 MByte
Diodes Zetex（捷特科）
P 通道 MOSFET，12V 至 25V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
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