| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 额定电压(DC) | 40.0 V |
| 额定电流 | 200 mA |
| 封装 | SOT-363-6 |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 0.2 W |
| 增益频宽积 | 300 MHz |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 40 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.2A |
| 最小电流放大倍数 | 100 @10mA, 1V |
| 最大电流放大倍数 | 300 |
| 额定功率(Max) | 200 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 200 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Discontinued at Digi-Key |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.2 mm |
| 宽度 | 1.35 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ (TJ) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 40V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | 200MA/0.2A 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 300MHZ 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 30~300 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.3V 耗散功率Pc Power Dissipation | 0.2W 描述与应用 Description & Applications | NPN型小信号山晶体管 技术文档PDF下载 | 在线阅读
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Micro Commercial Components（美微科）
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 40V
Diodes（美台）
特点•匹配NPN小信号表面贴装晶体管•外延平面电路小片建设•本质匹配的NPN对（注1）•小型表面贴装封装•2％的匹配容差，HFE，VCE（SAT），VBE（SAT）•1％的匹配容差（注2）
Vishay Semiconductor（威世）
DIODES INC. DMMT3904W 双极晶体管阵列, 双路, NPN, 40 V, 200 mW, 200 mA, 100 hFE, SOT-363
Diodes（美台）
双极晶体管阵列, 双路, NPN, 40 V, 200 mW, 200 mA, 100 hFE, SOT-363
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