| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 300 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 2 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 350 mW |
| 阈值电压 | 1.6 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 300 mA |
| 输入电容值(Ciss) | 50pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 350 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 350 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20v 最大漏极电流Id Drain Current| 300mA/0.3A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 2.9Ω/Ohm @500mA,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.0-2.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| · Low On-Resistance: RDS(ON) · Low Gate Threshold Voltage · Low Input Capacitance · Fast Switching Speed · Low Input/Output Leakage · Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2) · ESD Protected Up To 2kV · "Green" Device (Note 4) 描述与应用| ·低导通电阻RDS（ON） ·低栅极阈值电压 ·低输入电容 ·开关速度快 ·低输入/输出漏 ·无铅设计/ RoHS规定（注2） ·ESD保护高达2kV ·“绿色”设备（注4）
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·低导通电阻RDS（ON）·低栅极阈值电压·低输入电容·开关速度快·低输入/输出漏·无铅设计/ RoHS规定（注2）·ESD保护高达2kV·“绿色”设备（注4）
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N-沟道 60 V 0.3 A 2 Ω 表面贴装 Mosfet - SOT-523
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DMN601 系列 60 V 2.4 Ohm 双 N-沟道 增强型 Mosfet - SOT-23-6
Diodes（美台）
场效应管(MOSFET) DMN601WKQ-7 SOT-323-3
Diodes（美台）
场效应管(MOSFET) DMN601VKQ-7 SOT-563
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