| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | TO-261-4 |
| 针脚数 | 4 Position |
| 漏源极电阻 | 0.068 Ω |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 3.7 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5.6A |
| 上升时间 | 10.8 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 502pF @30V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2 W |
| 下降时间 | 8.7 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 60 V 4.1A（Ta） 2W（Ta） SOT-223
Diodes（美台）
9 页 / 0.29 MByte
Diodes（美台）
293 页 / 0.91 MByte
Diodes（美台）
晶体管, MOSFET, N沟道, 4.1 A, 60 V, 0.068 ohm, 10 V, 3 V
Diodes Zetex（捷特科）
N 沟道 MOSFET，40V 至 90V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
Diodes（美台）
晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 5.6 A, 60 V, 0.068 ohm, 10 V, 1 V
Vishay Semiconductor（威世）
DIODES INC. DMN6068SE 晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 5.6 A, 60 V, 0.068 ohm, 10 V, 1 V
Diodes Zetex（捷特科）
N 沟道 MOSFET，40V 至 90V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
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