类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | SOIC |
针脚数 | 8 Position |
漏源极电阻 | 0.045 Ω |
极性 | Dual P-Channel |
功耗 | 2.5 W |
阈值电压 | 1.7 V |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
连续漏极电流(Ids) | 6.9A |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
DMP3056LSD 是一款双P沟道增强型MOSFET, 设计具有低导通电阻RDS (ON), 同时保持卓越的开关性能. 该产品设计用于背光和DC-DC转换器应用。
● 低导通电阻
● 低栅极阈值电压
● 低输入电容
● 快速开关性能
● 低输入/输出泄漏
● 无卤素
● UL94V-0 阻燃等级
Diodes(美台)
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Diodes(美台)
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Diodes(美台)
P 沟道 30 V 65 mΩ 1.5 W 10.1 nC 表面贴装 功率 MosFet - SOT-26
Diodes(美台)
DIODES INC. DMP3056LSD 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -6.9 A, -30 V, 0.045 ohm, -10 V, 1.7 V
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC. DMP3056LDM 晶体管, MOSFET, 增强模式, P沟道, -5 A, -30 V, 0.045 ohm, -10 V, -1 V
Diodes Zetex(捷特科)
P 沟道 MOSFET,30V,Diodes Inc
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