类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-226-3 |
额定功率 | 1 W |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 17 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 1 W |
漏源极电压(Vds) | 400 V |
连续漏极电流(Ids) | 0.12A |
上升时间 | 15 ns |
输入电容值(Ciss) | 200pF @25V(Vds) |
下降时间 | 20 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 1W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Bag |
材质 | Silicon |
长度 | 5.2 mm |
宽度 | 4.19 mm |
高度 | 5.33 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Supertex N 通道耗尽型 MOSFET 晶体管
●Microchip 的 Supertex 系列 N 通道耗尽型 DMOS FET 晶体管适用于要求高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和切换速度快的应用。
●### 特点
●高输入阻抗
●低输入电容
●切换速度快
●低接通电阻
●无次级击穿
●低输入和输出泄漏
●### 典型应用
●常开开关
●固态继电器
●转换器
●线性放大器
●恒定电流源
●电源电路
●电信
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MICROCHIP DN2540N3-G 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 400 V, 17 ohm, 0 V
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