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DRV5013AGQDBZT
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DRV5013AGQDBZT 技术参数、封装参数

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DRV5013AGQDBZT 数据手册

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DRV5013 数据手册

TI(德州仪器)
DRV5013 数字锁存霍尔 IC
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TEXAS INSTRUMENTS  DRV5013ADQDBZR  霍尔效应传感器, 锁定式, 30 mA, SOT-23, 3 引脚, 2.5 V, 38 V
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TEXAS INSTRUMENTS  DRV5013AGQDBZR  霍尔效应传感器, 锁定式, 30 mA, SOT-23, 3 引脚, 2.5 V, 38 V
TI(德州仪器)
汽车类数字锁存霍尔效应传感器
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TEXAS INSTRUMENTS  DRV5013ADQLPG  霍尔效应传感器, 锁定式, 30 mA, TO-226AA, 3 引脚, 2.5 V, 38 V
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  DRV5013AGQLPG  霍尔效应传感器, 锁定式, 30 mA, TO-226AA, 3 引脚, 2.5 V, 38 V
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  DRV5013BCQLPG  霍尔效应传感器, 锁定式, 30 mA, TO-226AA, 3 引脚, 2.5 V, 38 V
TI(德州仪器)
霍尔效应开关和闩锁,Texas Instruments集成电路利用霍尔效应,用于实施非接触感应、切换和闭锁功能。### 霍尔效应传感器,Texas Instruments
TI(德州仪器)
汽车类、高电压(高达 38V)、高带宽 (30kHz) 霍尔效应锁存器 3-SOT-23 -40 to 150
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高电压(高达 38V)、高带宽 (30kHz) 霍尔效应锁存器 3-TO-92 -40 to 125
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