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DRV5032FBDBZT
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DRV5032FBDBZT 数据手册 (32 页)
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DRV5032FBDBZT 技术参数、封装参数

DRV5032FBDBZT 外形尺寸、物理参数、其它

DRV5032FBDBZT 数据手册

TI(德州仪器)
32 页 / 1.34 MByte
TI(德州仪器)
4 页 / 0.21 MByte

DRV5032 数据手册

TI(德州仪器)
板机接口霍耳效应/磁性传感器 LP HALL 32FCDBZR
TI(德州仪器)
低功耗(5Hz、<1µA)、低电压(最高 5.5V)开关 3-SOT-23 -40 to 85
TI(德州仪器)
板机接口霍耳效应/磁性传感器 Ultra-Low Power 1.65V to 5.5V Hall Effect Switch 3-SOT-23 -40 to 85
TI(德州仪器)
霍尔效应传感器, 开关, 5 mA, SOT-23, 3 引脚, 1.65 V, 5.5 V
TI(德州仪器)
低功耗(5Hz、<1µA)、低电压(最高 5.5V)开关 3-SOT-23 -40 to 85
TI(德州仪器)
低功耗(5Hz、<1µA)、低电压(最高 5.5V)开关 4-X2SON -40 to 85
TI(德州仪器)
板机接口霍耳效应/磁性传感器 Ultra-Low Power 1.65V to 5.5V Hall Effect Switch 4-X2SON -40 to 85
TI(德州仪器)
DRV5032ZEDBZR 编带
TI(德州仪器)
板机接口霍耳效应/磁性传感器 Ultra-Low Power 1.65V to 5.5V Hall Effect Switch 3-SOT-23 -40 to 85
TI(德州仪器)
低功耗(5Hz、<1µA)、低电压(最高 5.5V)开关 4-X2SON -40 to 85
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