类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 24 Pin |
电源电压 | 5.00 V, 5.50 V (max) |
封装 | DIP-24 |
针脚数 | 24 Position |
时钟频率 | 100 GHz |
存取时间 | 100 ns |
内存容量 | 2000 B |
工作温度(Max) | 85 ℃ |
工作温度(Min) | -40 ℃ |
电源电压 | 4.5V ~ 5.5V |
电源电压(Max) | 5.5 V |
电源电压(Min) | 4.5 V |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Each |
长度 | 38.1 mm |
宽度 | 18.29 mm |
高度 | 10.67 mm |
工作温度 | -40℃ ~ 85℃ (TA) |
静态 RAM,Maxim Integrated
●### SRAM(静态随机存取存储器)
Maxim Integrated(美信)
8 页 / 0.19 MByte
Maxim Integrated(美信)
1 页 / 0.01 MByte
Maxim Integrated(美信)
2 页 / 0.07 MByte
Maxim Integrated(美信)
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Maxim Integrated(美信)
9 页 / 0.08 MByte
Maxim Integrated(美信)
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Maxim Integrated(美信)
RAM,Maxim Integrated### 非易失 RAM (NVRAM)NVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块,用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 (RTC)。
Maxim Integrated(美信)
16K非易失SRAM 16k Nonvolatile SRAM
Dallas Semiconductor(达拉斯半导体)
Dallas Semiconductor(达拉斯半导体)
Maxim Integrated(美信)
MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1220AD-100IND+ 芯片, 存储器, NVRAM
Maxim Integrated(美信)
16K非易失SRAM 16k Nonvolatile SRAM
Dallas Semiconductor(达拉斯半导体)
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