| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 28 Pin |
| 电源电压 | 4.75V (min) |
| 封装 | DIP-28 |
| 时钟频率 | 150 GHz |
| 存取时间 | 150 ns |
| 内存容量 | 8000 B |
| 电源电压 | 4.75V ~ 5.25V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Bulk |
| 工作温度 | -40℃ ~ 85℃ (TA) |
NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 64Kb（8K x 8） 并联 28-EDIP
Maxim Integrated（美信）
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RAM，Maxim Integrated### 非易失 RAM (NVRAM)NVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块，用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 (RTC)。
Dallas Semiconductor（达拉斯半导体）
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MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1225AB-150IND+ 芯片, 存储器, NVRAM
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