| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 28 Pin |
| 电源电压 | 5.00 V, 5.50 V (max) |
| 封装 | DIP-28 |
| 时钟频率 | 70.0 GHz |
| 存取时间 | 70 ns |
| 内存容量 | 8000 B |
| 工作温度(Max) | 85 ℃ |
| 工作温度(Min) | 40 ℃ |
| 电源电压 | 4.5V ~ 5.5V |
| 电源电压(Max) | 5.5 V |
| 电源电压(Min) | 4.5 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Bulk |
| 长度 | 39.12 mm |
| 宽度 | 18.29 mm |
| 高度 | 9.4 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 85℃ (TA) |
Maxim Integrated（美信）
9 页 / 0.19 MByte
Maxim Integrated（美信）
10 页 / 0.15 MByte
Maxim Integrated（美信）
非易失性SRAM (NVSRAM), 64Kbit, 8K x 8bit, 70ns读/写, 并行, 4.75V至5.25V, EDIP-28
Dallas Semiconductor（达拉斯半导体）
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Maxim Integrated（美信）
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