| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-23 |
| 极性 | PNP |
| 击穿电压(集电极-发射极) | -50V |
| 集电极最大允许电流 | -0.5A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 最小包装数量 | 3000 |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| -50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| -500mA/0.5A 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 1KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 1KΩ/Ohm 电阻比(R1/R2) Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 200MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.2W/200mW Description & Applications| Feature •Digital transistors (built-in resistor) •Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). •The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow positive biasing of the input. They also have the advantage of almost completely eliminating parasitic effects. •Only the on/off conditions need to be set for operation, making device design easy 描述与应用| 特点 •数字晶体管（内置电阻） •内置启用偏置电阻器的逆变器电路的配置，而无需连接外部输入电阻（见等效电路）。 •偏置电阻组成的薄膜电阻完全隔离，允许输入的正偏压。他们也有优势，几乎完全消除了寄生效应。 •只有开/关条件需要设置操作，使装置的设计容易
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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PNP 晶体管，ROHM ### Digital Transistors, ROHMResistor-equipped bipolar transistors, also known as Digital Transistors or Bias Resistor Transistors, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available.
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晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, -500 mA, 1 kohm, 1 kohm
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
DTB113ZK 带阻尼PNP三极管 -50V -500mA/0.5A 0.2W/200mW SOT-23/SC-59/SMT3 标记G11 开关电路，逆变器，接口电路，驱动电路
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DTB113EK 带阻尼PNP三极管 -50V -500mA/0.5A 0.2W/200mW SOT-23/SC-59/SMT3 标记F11 开关电路，逆变器，接口电路，驱动电路
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -500 mA, 1 kohm, 10 kohm, 0.1 电阻比率
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晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -500 mA, 1 kohm, 10 kohm, 0.1 电阻比率
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