| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | EMT |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.1A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 最小包装数量 | 3000 |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| 100mA/0.1A 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 10KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 10KΩ/Ohm 电阻比(R1/R2) Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 30 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 250MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.15W/150mW Description & Applications| Features Epitaxial Planar Die Construction Complementary PNP Types Available (DDTA) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 Lead Free/RoHS Compliant 描述与应用| 特性 外延平面电路小片构建 互补PNP类型可用（DDTA） 内置偏置电阻R1= R2 无铅/ 符合RoHS标准
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM DTC114EKAT146 单晶体管 双极, 数字式, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 30 hFE
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM DTC114EETL 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 250 MHz, 150 mW, 100 mA, 30 hFE
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR DTC114EET1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-416
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM DTC114YKAT146 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 68 hFE
ON Semiconductor（安森美）
NPN 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM DTC114YETL 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.22 电阻比率, SOT-416
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
DTC114EUA 系列 50 V 100 mA 表面贴装 NPN 数字晶体管 - SC-70
ON Semiconductor（安森美）
NPN 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
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