| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | EMT |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.1A |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| 100mA/0.1A 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 100KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 100KΩ/Ohm 电阻比(R1/R2) Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 82 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 250MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.15W/150mW Description & Applications| Features 1)Built-In Biasing Resisitors,R1=R2=100kΩ 2) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). 3) The bias resistors consist of thin film resistors with complete isolation to allow negative biasing of the input. They also have the advantage of almost completely eliminating parasitic effects. 4) Only the on/off conditions need to be set for operation, making device design easy 5）Complementary PNP Types:DTA115E series 6)Lead Free/RoHS Compliant 描述与应用| 特性 ）内置偏置Resisitors，R1= R2=100KΩ 2）内置启用偏置电阻器的逆变器电路的配置，而无需连接外部输入电阻（见等效电路）。 3）偏置电阻组成的薄膜电阻完全隔离，允许负偏置输入。他们也有优势，几乎完全消除了寄生效应。 4）只有开/关条件需要设置操作，使装置设计容易 5）互补PNP类型：DTA115E 6）无铅/ 符合RoHS规范要求
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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ON Semiconductor（安森美）
NPN 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
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ON Semiconductor（安森美）
NPN 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
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