| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 50.0 V |
| 额定电流 | 100 mA |
| 封装 | SOT-723-3 |
| 无卤素状态 | Halogen Free |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 0.6 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 100mA |
| 最小电流放大倍数 | 80 @5mA, 10V |
| 最大电流放大倍数 | 80 |
| 额定功率(Max) | 260 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 338 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 1.25 mm |
| 宽度 | 0.85 mm |
| 高度 | 0.55 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| 100mA/0.1A 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 100KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 100KΩ/Ohm 电阻比(R1/R2) Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 80 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.26W/260mW Description & Applications| Features • Simplifies Circuit Design • Reduces Board Space • Reduces Component Count • The SOT−723 Package can be Soldered using Wave or Reflow. • Available in 4 mm, 8000 Unit Tape & Reel • These are Pb−Free Devices 描述与应用| 特性 •简化电路设计 •缩小板级空间 •减少元件数量 •SOT-723封装，可以使用波或回流焊接。 •可用在4毫米，8000单位带卷 •这些都是Pb-Free设备
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
NPN 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
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